Canguros 136A Col. Las Gaviotas

C.P. 96536 Coatzacoalcos, Ver.

  • White Instagram Icon
  • White Twitter Icon
  • White Facebook Icon

®2019 OH Electronics

*Precios sujetos a cambio sin previo aviso.

Descripción

El IRFZ44N es un transistor mosfet  de potencia, de canal N, hexfet con muy baja resistencia por unidad de superficie  y con un  rendimiento de conmutación rápida, este beneficio, en combinación con la velocidad de conmutación rápida y el diseño del dispositivo robusto que hexfet Los mosfet de potencia son bien conocidos por ofrecer al diseñador  un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para uso en una amplia variedad de aplicaciones.

 

  • Tecnología avanzada de procesos
  • Ultra bajo en resistencia
  • Valor dinámico dV / dt
  • Avalancha repetitiva permitida hasta Tjmax
  • 175 °C Temperatura de funcionamiento
  • Aplicaciones: Administración de potencia

 

Información Básica

 

  • Polaridad del transistor: Canal N
  • Voltaje drenaje-fuente Vds: 55 V
  • Tensión Vgs de medición Rds(on): 10 V
  • Tensión umbral Vgs: 2.1 V
  • Intensidad drenador continua Id: 49 A
  • Disipación de potencia Pd: 83 W
  • Resistencia de activación Rds(on): 0.0175 Ohms
  • Temperatura de operación máxima: 150 °C
  • Encapsulado: TO-220
  • Número de pines: 3 

 

Sustituto

NTE2395 

Mosfet irfZ44N

SKU: IRF44N
$8.50Precio