Características:

 

  • Transistor Bipolar (BJT) NPN
  • Dispositivo diseñado para operar como amplificador de audio
  • IC: 500 mA
  • PD: 625 mW
  • VCEO: 25 V, VCBO: 40 V, VEBO: 5 V
  • hFE: 160 a 300 (Ranking D)
  • FT: 150 MHz mínimo
  • VCE(sat): 0.6 V max.
  • Potencia de salida de 1 W en amplificadores con configuración clase B Push-pull
  • Encapsulado: TO-92
  • Complementario: S8550

Transistor S8050

SKU: TS8050
$5.00Precio

Canguros 136A Col. Las Gaviotas

C.P. 96536 Coatzacoalcos, Ver.

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*Precios sujetos a cambio sin previo aviso.